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NOR FLASH火了

閃存包括 NOR Flash（或非閃存）和 NAND Flash（與非閃存），其中 NAND Flash 占據(jù)閃存市場 95% 以上份額。NOR Flash（或非閃存）憑借獨(dú)特的技術(shù)特性，在工業(yè)、汽車等專業(yè)領(lǐng)域占據(jù)一席之地。作為非易失閃存的兩大核心技術(shù)路徑之一，NOR Flash 歷經(jīng)數(shù)十年發(fā)展，在物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、AI 服務(wù)器等新興場景的驅(qū)動(dòng)下，正從「小眾利基市場」邁向「高成長賽道」。而在這一浪潮中，本土 MCU 企業(yè)的布局尤為關(guān)鍵。以中微半導(dǎo)為代表的本土企業(yè)，正憑借 MC
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中微半導(dǎo)發(fā)布首款Flash芯片，進(jìn)軍存儲(chǔ)領(lǐng)域

1月19日，中微半導(dǎo)發(fā)布了一則自愿性公告，宣布即將推出其首款非易失性存儲(chǔ)器芯片，正式進(jìn)入Flash領(lǐng)域。這一產(chǎn)品型號(hào)為CMS25Q40A，是一款容量為4M bit的低功耗SPI NOR Flash芯片。該芯片的存儲(chǔ)陣列被劃分為2048個(gè)可編程頁，每頁容量為256字節(jié)，單次編程操作最多可寫入256字節(jié)數(shù)據(jù)。它支持多種擦除方式，包括1KB扇區(qū)擦除、4KB扇區(qū)擦除、32KB塊擦除、64KB塊擦除及整片擦除。其核心特點(diǎn)包括低成本、低功耗、SPI高速讀寫以及掉電不丟失等。性能參數(shù)方面，CMS25Q40A采用1.65
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NOR Flash、MEMS與傳感器、功率器件三大領(lǐng)域洞察

進(jìn)入2026年，NOR Flash的基本面與DRAM和NAND形成顯著差異：其定價(jià)保持穩(wěn)定，基本不受存儲(chǔ)周期性波動(dòng)影響。同時(shí)，市場需求正日益轉(zhuǎn)向適用于汽車、工業(yè)及真無線耳機(jī)（TWS）等領(lǐng)域的更高密度SPI NOR產(chǎn)品。更大的固件容量、無線升級(jí)（OTA）需求以及邊緣AI的集成，共同推動(dòng)了高密度NOR Flash設(shè)備的采用，尤其是從128Mb向256Mb及以上容量的升級(jí)。盡管出貨量趨于平穩(wěn)，但產(chǎn)品密度的提升、漫長的認(rèn)證周期以及向55-40納米工藝穩(wěn)定遷移，將持續(xù)驅(qū)動(dòng)其價(jià)值增長。得益于供需結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定，NOR F
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兆易創(chuàng)新GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

一、產(chǎn)品概述中國北京（2025年4月15日）—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點(diǎn)。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機(jī)遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快
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Adobe因涉嫌濫用作者作品進(jìn)行AI培訓(xùn)而面臨集體訴訟

和幾乎所有其他科技公司一樣，Adobe在過去幾年里大力投入人工智能。自2023年以來，這家軟件公司推出了多項(xiàng)不同的人工智能服務(wù)，包括Firefly——其基于AI的媒體生成套件。然而，現(xiàn)在公司對這項(xiàng)技術(shù)的全力擁抱可能引發(fā)了麻煩，因?yàn)橐豁?xiàng)新訴訟聲稱其使用盜版書籍來訓(xùn)練其人工智能模型。一項(xiàng)由俄勒岡州作家伊麗莎白·萊昂提起的集體訴訟提起，聲稱Adobe使用了包括她自己在內(nèi)的多本盜版書籍來培訓(xùn)Adobe的SlimLM項(xiàng)目。Adobe 將 SlimLM 描述為一個(gè)小型語言模型系列，可以“針對移動(dòng)設(shè)備上的文檔輔助任務(wù)進(jìn)
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BiCS FLASH進(jìn)階時(shí)，加速存儲(chǔ)新進(jìn)化

AI算力需求爆炸，海量數(shù)據(jù)頻繁調(diào)動(dòng)，致使存儲(chǔ)行業(yè)變得愈發(fā)重要。無論是當(dāng)下的生成式AI，還是即將到來的AI智能體、端側(cè)AI，高性能、高密度、高能效存儲(chǔ)解決方案都將作為可靠的硬件基礎(chǔ)，進(jìn)而解決數(shù)據(jù)中心、AI訓(xùn)練推理以及移動(dòng)設(shè)備在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與訪問的瓶頸問題。在眾多存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展路徑中，鎧俠BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)為行業(yè)提供了大量支持，也是高性能存儲(chǔ)中，不可缺少的關(guān)鍵角色。鎧俠作為閃存技術(shù)的發(fā)明者，秉承著Bit Cost Scalable Flash的理念，BiCS FLASH在2D NAND遇到容量提升瓶
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用鎧俠BiCS Flash，為AI算力創(chuàng)造新可能

AI的計(jì)算、數(shù)據(jù)傳輸與存儲(chǔ)已經(jīng)成為當(dāng)下數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器端最為關(guān)注的問題之一。在有限的空間和成本內(nèi)如何實(shí)現(xiàn)更高的收益，如何讓存儲(chǔ)方案給計(jì)算單元提供充足的數(shù)據(jù)支持，加速數(shù)據(jù)交換，節(jié)省電力和散熱成本都值得探討，其中就包括閃存技術(shù)如何扮演起關(guān)鍵角色。閃存技術(shù)最初被廣泛應(yīng)用在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品中，旨在縮小存儲(chǔ)方案占用空間、提升性能。隨著閃存技術(shù)的不斷升級(jí)，這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)從成為消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品存儲(chǔ)主力，并緊接著在網(wǎng)絡(luò)、云計(jì)算的企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)中提供高速的數(shù)據(jù)存取支持。如今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)正在邁向AI時(shí)代，通過大量創(chuàng)新型的存儲(chǔ)方案創(chuàng)造更多可能性。例
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第二季度NAND收入環(huán)比增長22%

TrendForce集邦咨詢表示，第二季度NAND收入前五大供應(yīng)商的總收入環(huán)比增長22%，達(dá)到146.7億美元。三星第二季度收入環(huán)比增長 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入環(huán)比增長 52.5%，達(dá)到 33.4 億美元，市場份額為 21.1%。鎧俠第二季度營收環(huán)比增長11.4%至21.4億美元，環(huán)比增長11.4%，排名第三。美光收入環(huán)比增長 3.7%，達(dá)到 21 億美元，市場份額為 13.3%。SanDisk 的收入環(huán)比增長 12.2% 至 19 億美元
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內(nèi)存漲價(jià)輪到NOR Flash！第四季全面漲勢更兇狠

終端需求低迷，影響編碼型閃存（NOR Flash）價(jià)格一度積弱不振，不過近期業(yè)界驚傳，中國市場NOR Flash率先從第3季起，調(diào)漲報(bào)價(jià)5~10%，盡管市場仍處于買賣拉扯，但受到近期原材料以及封測成本雙重提高，業(yè)界預(yù)期，隨著近期市場漲價(jià)風(fēng)聲蠢蠢欲動(dòng)，NOR Flash價(jià)格將從第4季在各區(qū)域市場全面反映報(bào)價(jià)調(diào)漲，單季漲幅將達(dá)雙位數(shù)百分比。相較于DRAM市場價(jià)格近來明顯走揚(yáng)，不僅DDR4身價(jià)暴漲，需求正逐漸萎縮的DDR3現(xiàn)貨價(jià)格也止跌反彈，相較于6月底的行情，近2個(gè)月來現(xiàn)貨價(jià)格已上漲約3成多，反映業(yè)界在擔(dān)憂
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「STM32 Flash 操作全解析」擦除、寫入、讀取一網(wǎng)打盡！附完整源碼

在嵌入式開發(fā)中，MCU 內(nèi)部的 Flash 常用于存儲(chǔ)配置信息、日志數(shù)據(jù)或用于 OTA 升級(jí)。STM32F4 系列 MCU 提供了對 Flash 的靈活操作能力，包括按扇區(qū)擦除、字節(jié)或半字寫入等。本文將圍繞一段實(shí)際使用的 Flash 操作代碼進(jìn)行講解，主要涉及 Flash 的擦除、寫入與讀取功能。一、Flash 結(jié)構(gòu)及操作基本原理STM32F4 MCU 的 Flash 存儲(chǔ)器按照扇區(qū)（Sector）劃分，每個(gè)扇區(qū)大小不一，例如在 STM32F407 中，前四個(gè)扇區(qū)大小為 16KB，第五個(gè)為 64KB，之后
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NAND Flash合約價(jià) Q3看漲10%

根據(jù)TrendForce預(yù)估，第三季NAND Flash價(jià)格走勢，預(yù)估平均合約價(jià)將季增5%至10%，但eMMC、UFS產(chǎn)品，因智慧手機(jī)下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場因OEM/ODM上半年去化庫存情況優(yōu)于預(yù)期，增強(qiáng)第三季回補(bǔ)動(dòng)能。而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引發(fā)換機(jī)潮，以及DeepSeek一體機(jī)熱潮，皆帶動(dòng)client SSD需求。此外，部分原廠積極推動(dòng)大容量QLC產(chǎn)品，帶動(dòng)出貨規(guī)模。綜合以上因素，預(yù)估第三季client SSD將季增3%至8%。隨NVIDIA B
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如何讓QLC技術(shù)成為主流？

縱觀整個(gè)電子行業(yè)，往更高密度的集成電路發(fā)展無疑是主流趨勢。相對于邏輯電路追求晶體管密度提升，類似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲(chǔ)還需要考慮到電子的穩(wěn)定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲(chǔ)問題，在穩(wěn)定保存的前提下追求更高的存儲(chǔ)密度才能確保新技術(shù)、新產(chǎn)品可持續(xù)發(fā)展，存儲(chǔ)單元向上要空間成為順理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日漸成為主流的QLC（Quad-Lev
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兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，突破性讀取速度，助力應(yīng)用快速啟動(dòng)

近日，兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點(diǎn)。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機(jī)遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動(dòng)應(yīng)用場景的理想之選。GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash采用24n
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AI推理應(yīng)用爆發(fā)推升QLC NAND Flash市場需求

AI推論快速成長，QLC NAND Flash成為企業(yè)級(jí)儲(chǔ)存解決方案的新寵。相較于傳統(tǒng)的TLC NAND，QLC具備更高存儲(chǔ)密度與更低成本，適合以讀取為主的AI推論工作負(fù)載。法人分析，臺(tái)廠如群聯(lián)、威剛、宇瞻等存儲(chǔ)器模組廠，有望從中受惠。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)預(yù)測，2025年QLC NAND產(chǎn)能將達(dá)250.48億Gb，占NAND總產(chǎn)能的22.2%，滲透率逐步提升。AI推論服務(wù)器主要負(fù)責(zé)分析以及處理大量數(shù)據(jù)，而這類應(yīng)用訪問模式以讀取為主，寫入頻率相對較低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存儲(chǔ)密度
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兆易創(chuàng)新推出GD25NE系列SPI NOR Flash

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布推出專為1.2V SoC應(yīng)用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25NE系列。該系列產(chǎn)品無需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實(shí)現(xiàn)無縫兼容，此產(chǎn)品的面世將進(jìn)一步強(qiáng)化兆易創(chuàng)新在雙電壓供電閃存解決方案領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。憑借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分滿足市場對于先進(jìn)嵌入式存儲(chǔ)解決方案日益增長的需求，成為智能可穿戴設(shè)備、醫(yī)療健康、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心及邊緣人工智能應(yīng)用的理想選擇。GD25NE系列SPI NOR
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